M10 MBB, N-Type TopCon 108 poolelemendiga 420W-435W musta raamiga päikesemoodul
Ülikõrge energiatootmine / ülikõrge kasutegur
Täiustatud töökindlus
Alumine KAAS / LETID
Kõrge ühilduvus
Optimeeritud temperatuurikoefitsient
Madalam töötemperatuur
Optimeeritud lagunemine
Suurepärane jõudlus hämaras
Erakordne PID-takistus
| Kamber | Mono 182*91mm |
| Lahtrite arv | 108 (6 × 18) |
| Maksimaalne nimivõimsus (Pmax) | 420W-435W |
| Maksimaalne tõhusus | 21,5-22,3% |
| Harukarp | IP68,3 dioodid |
| Süsteemi maksimaalne pinge | 1000V/1500V DC |
| Töötemperatuur | -40℃～+85℃ |
| Ühendused | MC4 |
| Mõõtmed | 1722 * 1134 * 30 mm |
| Ühe 20GP konteineri arv | 396 tk |
| Ühe 40HQ konteineri arv | 936 tk |
12-aastane garantii materjalidele ja töötlemisele;
30-aastane garantii ekstra lineaarsele väljundvõimsusele.
* Täiustatud automatiseeritud tootmisliinid ja esmaklassilised brändi tooraine tarnijad tagavad päikesepaneelide töökindluse.
* Kõik päikesepaneelide seeriad on läbinud TUV, CE, CQC, ISO, UNI9177- Fire Class 1 kvaliteedisertifikaadi.
* Täiustatud poolelemendid, MBB ja PERC päikesepatareide tehnoloogia, suurem päikesepaneelide efektiivsus ja majanduslik kasu.
* A-klassi kvaliteet, soodsam hind, 30 aastat pikem kasutusiga.
Laialdaselt kasutatav elamu PV-süsteemis, kaubanduslikus ja tööstuslikus PV-süsteemis, kasuliku mastaabiga PV-süsteemis, päikeseenergia salvestussüsteemis, päikeseveepumbas, koduses päikeseenergiasüsteemis, päikeseseires, päikeseenergia tänavavalgustites jne.
Päikeseenergia on taastuv energiaallikas, mida saab kasutada elektrienergia tootmiseks fotogalvaaniliste (PV) elementide kaudu.Fotogalvaanilised elemendid on tavaliselt valmistatud ränist, pooljuhist.Räni legeeritakse lisanditega, et luua kahte tüüpi pooljuhtmaterjale: n-tüüpi ja p-tüüpi.Neil kahel materjalitüübil on erinevad elektrilised omadused, mistõttu need sobivad päikeseenergia tootmisel erinevaks kasutuseks.
N-tüüpi PV elementides on räni legeeritud lisanditega nagu fosfor, mis loovutavad materjalile liigsed elektronid.Need elektronid on võimelised materjalis vabalt liikuma, tekitades negatiivse laengu.Kui päikesevalgus langeb fotogalvaanilisele elemendile, neelavad selle räni aatomid, luues elektron-augu paarid.Need paarid on fotogalvaanilises elemendis eraldatud elektriväljaga, mis surub elektronid n-tüüpi kihi poole.
P-tüüpi fotogalvaanilistes elementides on räni legeeritud lisanditega nagu boor, mis nälgivad elektronide materjali.See loob positiivseid laenguid ehk auke, mis on võimelised materjali ümber liikuma.Kui valgusenergia langeb PV-elemendile, tekitab see elektron-augu paarid, kuid seekord surub elektriväli augud p-tüüpi kihi poole.
Erinevus n- ja p-tüüpi fotogalvaaniliste elementide vahel seisneb selles, kuidas kahte tüüpi laengukandjad (elektronid ja augud) elemendis voolavad.N-tüüpi PV-elementides voolavad fotogenereeritud elektronid n-tüüpi kihti ja kogutakse kokku raku tagaküljel olevate metallkontaktidega.Selle asemel lükatakse tekkinud augud p-tüüpi kihi poole ja voolavad raku esiküljel olevate metallkontaktideni.Vastupidine kehtib p-tüüpi PV-elementide puhul, kus elektronid voolavad elemendi esikülje metallkontaktidele ja augud tagaküljele.
N-tüüpi PV-elementide üks peamisi eeliseid on nende kõrgem efektiivsus võrreldes p-tüüpi rakkudega.Kuna n-tüüpi materjalides on palju elektrone, on valgusenergia neelamisel lihtsam moodustada elektron-augu paare.See võimaldab akus genereerida rohkem voolu, mille tulemuseks on suurem väljundvõimsus.Lisaks on n-tüüpi fotogalvaanilised elemendid vähem altid lisanditest lagunemisele, mille tulemuseks on pikem eluiga ja usaldusväärsem energiatootmine.
Teisest küljest valitakse P-tüüpi fotogalvaanilised elemendid tavaliselt nende madalamate materjalikulude tõttu.Näiteks booriga legeeritud räni on odavam kui fosforiga legeeritud räni.See muudab p-tüüpi fotogalvaanilised elemendid säästlikumaks võimaluseks suuremahuliseks päikeseenergia tootmiseks, mis nõuab suuri materjale.
Kokkuvõtlikult võib öelda, et n- ja p-tüüpi fotogalvaanilised elemendid on erinevate elektriliste omadustega, mistõttu sobivad need erinevateks rakendusteks päikeseenergia tootmisel.Kui n-tüüpi rakud on tõhusamad ja töökindlamad, siis p-tüüpi rakud on üldiselt kuluefektiivsemad.Nende kahe päikesepatarei valik sõltub rakenduse konkreetsetest vajadustest, sealhulgas soovitud tõhususest ja olemasolevast eelarvest.
